机译:基于并五苯半导体和有机隧穿绝缘层的非易失性纳米浮栅存储器件
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机译:PMMA隧穿介电层的多孔结构对非易失性浮栅有机场效应晶体管存储器件性能的影响
机译:隧道栅氧化物和浮栅厚度变化对分离栅闪存性能影响的研究
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:MoO3阻挡层对ZnO纳米棒反转有机光伏器件的厚度依赖性
机译:有机电子产品:共轭聚合物纳米颗粒作为高性能非易失性有机晶体管存储装置的纳米浮栅电器(ADV。Funct。Mater。10/2015)