机译:在M平面蓝宝石上,晶体取向对Ullawide-Bandgap 5.4至8.6eVα-(藻类)203
机译:在氢化物气相外延中通过HCl化学反应蚀刻,从m面蓝宝石衬底上实现2 in。独立式m面GaN晶片与m面蓝宝石衬底的新型原位自分离
机译:通过氢化物气相外延在M平面蓝宝石上生长的M平面Gan
机译:分子束外延在具有CrN夹层的(10-10)m面蓝宝石衬底上的(11-22)GaN的特性
机译:氢化物气相外延法研究氮化镓的m-平面同质外延和平衡晶体形状。
机译:在m面蓝宝石衬底上生长的GaN域优选取向的决定因素
机译:在M平面蓝宝石基板上生长的GaN域优选取向的确定因子