机译:原子层沉积在Ru基RRAM器件中的负微分电阻效应
机译:原子层制备的Pt和TiN涂层衬底上HfO
机译:原子层沉积技术在高性能RRAM交叉开关阵列中进行逻辑运算的演示
机译:原子层沉积共反应物脉冲时间对65nm CMOS集成的基于铪的基于二氧化铪的纳米级RRAM装置的影响
机译:使用基于臭氧的ALD(原子层沉积)的高K电介质沉积(氧化铝),用于石墨烯基器件。
机译:原子层沉积在Ru基RRAM器件中的负微分电阻效应
机译:原子层沉积技术在高性能RRAM交叉开关阵列中进行逻辑运算的演示
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。