机译:低击穿电压器件的准E类功率放大器的设计过程
机译:Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As / Al / sub x / In / sub 1-x / As功率HEMT击穿电压对肖特基层设计和器件布局的依赖性研究
机译:用于电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的高击穿电压P-Gan-Gate GaN HEMT的仿真设计
机译:0.15 m薄膜SOI功率器件的电场分布和击穿电压的仿真细节
机译:高压4H碳化硅功率器件的设计和仿真。
机译:通过微流控设备中的电场和流场拉伸DNA:通过计算机模拟设计的设备的实验验证
机译:具有充电不平衡的超结型电源设备的击穿电压:通过设备进行打孔和非打孔的分析模型有效