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Nanoscale MOSFET Modeling: Part 1: The Simplified EKV Model for the Design of Low-Power Analog Circuits

机译：纳米级MOSFET建模：第1部分：低功耗模拟电路设计的简化EKV模型

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Christian Enz; Francesco Chicco; Alessandro Pezzotta;
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年度 2017
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1. Nanoscale MOSFET Modeling: Part 1: The Simplified EKV Model for the Design of Low-Power Analog Circuits [J] . Christian Enz, Francesco Chicco, Alessandro Pezzotta Solid-State Circuits Magazine, IEEE . 2017,第3期

机译：纳米级MOSFET建模：第1部分：用于低功耗模拟电路设计的简化EKV模型
2. Design methodology for ultra low-power analog circuits using next generation BSIM6 MOSFET compact model [J] . A. Mangla, M.-A. Chalkiadaki, F. Fadhuile, Microelectronics journal . 2013,第7期

机译：使用下一代BSIM6 MOSFET紧凑模型的超低功耗模拟电路的设计方法
3. 2-D Compact Model for Drain Current of Fully Depleted Nanoscale GeOI MOSFETs for Improved Analog Circuit Design [J] . Mondal, C., Biswas, IEEE Transactions on Electron Devices . 2013,第8期

机译：完全耗尽的纳米级GeOI MOSFET漏极电流的二维紧凑模型，用于改进模拟电路设计
4. Nanoscale MOSFET modeling for the design of low-power analog and RF circuits [C] . Christian Enz, Alessandro Pezzotta International Conference Mixed Design of Integrated Circuits Systems . 2016

机译：用于低功耗模拟和射频电路设计的纳米级MOSFET建模
5. Thermal and performance modeling of nanoscale MOSFETs, carbon nanotube devices and integrated circuits. [D] . Akturk, Akin. 2006

机译：纳米级MOSFET，碳纳米管器件和集成电路的热和性能建模。
6. A quasi-ballistic drain current charge and capacitance model with positional carrier scattering dependency valid for symmetric DG MOSFETs in nanoscale regime [O] . Vyas R. Murnal, C. Vijaya 2019

机译：具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
7. Design methodology for ultra low-power analog circuits using next generation BSIM6 MOSFET compact model [O] . A. Mangla, M.-A. Chalkiadaki, F. Fadhuile, 2013

机译：使用下一代BSIM6 MOSFET紧凑型模型的超低功耗模拟电路设计方法

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