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Erratum: “Hall resistivity of Fe doped Si film at low temperatures” Appl. Phys. Lett. 98, 112109 (2011)

机译：错误：“低温下Fe掺杂Si薄膜的霍尔电阻率”Appl。物理。吧。 98,112109（2011）

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Y. Q. Xu; W. F. Su; T. X. Nie; J. Cui; Y. M. Shao; Z. M. Jiang;
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年度 2011
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机译：错误：“强大的室温磁力，在高电阻应变薄膜的BiFe0.5mn0.5o3”Appl。物理。吧。 98,012509（2011）

Erratum: “Hall resistivity of Fe doped Si film at low temperatures” Appl. Phys. Lett. 98, 112109 (2011)

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