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【2h】

Measurement of surface recombination velocity and bulk lifetime in Si wafers by the kinetics of excess thermal emission

机译：通过过度热排放的动力学测量Si晶片中的表面重组速度和散装寿命

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A. V. Zinovchuk; A. K. Tkachenko;
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年度 2011
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1. Measurement of surface recombination velocity and bulk lifetime in Si wafers by the kinetics of excess thermal emission [J] . Zinovchuk A.V., Tkachenko A.K. Semiconductors . 2011,第1期

机译：通过过量热发射动力学来测量硅晶片中的表面复合速度和体寿命
2. Adequate Method for Decoupling Bulk Lifetime and Surface Recombination Velocity in Silicon Wafers [J] . Khelifati N., Bouhafs D., Mebarek-Azzem A., Acta Physica Polonica . 2016,第1期

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3. Separation algorithm for bulk lifetime and surface recombination velocity of thick silicon wafers and bricks via time-resolved photoluminescence decay [J] . Kai Wang, Henner Kampwerth Journal of Applied Physics . 2014,第17pta1期

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4. Noncontact separate measurements of bulk lifetime and surface recombination velocities in silicon wafers with oxidized mirror, etched, sliced, and sandblasted surfaces [C] . International conference on defect recognition and image processing in semiconductors . 1996

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5. Contactless spectral-dependent measurement of bulk lifetime and surface recombination velocity in silicon photovoltaic materials. [D] . Roller, John Frederick. 2016

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6. Bulk and surface recombination properties in thin film semiconductors with different surface treatments from time-resolved photoluminescence measurements [O] . Thomas P. Weiss, Benjamin Bissig, Thomas Feurer, -1

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