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【2h】

H-diamond MOS interface properties and FET characteristics with high-temperature ALD-grown HfO2 dielectric

机译：H型金刚石MOS界面性能和FET特性，具有高温铝合金HFO2电介质

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Zeyang Ren; Yufei Xing; Dandan Lv; Jiamin Xu; Jinfeng Zhang; Jincheng Zhang; Kai Su; Chunfu Zhang; Hong Zhang; Qi He; Yue Hao;
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年度 2021
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