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【2h】

All WSe2 1T1R resistive RAM cell for future monolithic 3D embedded memory integration

机译：所有WSE2 1T1R电阻RAM单元，用于将来整体三维嵌入式内存集成

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Maheswari Sivan; Yida Li; Hasita Veluri; Yunshan Zhao; Baoshan Tang; Xinghua Wang; Evgeny Zamburg; Jin Feng Leong; Jessie Xuhua Niu; Umesh Chand; Aaron Voon-Yew Thean;
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年度 2019
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1. All WSe2 1T1R resistive RAM cell for future monolithic 3D embedded memory integration [J] . Maheswari Sivan, Yida Li, Hasita Veluri, Nature Communications . 2019,第1期

机译：所有WSE2 1T1R电阻RAM单元，用于将来整体三维嵌入式内存集成
2. Hyperdimensional Computing Exploiting Carbon Nanotube FETs, Resistive RAM, and Their Monolithic 3D Integration [J] . Tony F. Wu, Haitong Li, Ping-Chen Huang, Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2018,第11期

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3. Selective photo-thermal modulation of ZnO/Pt interface for monolithic 3D integration of oxide-based resistive random access memory [J] . Park Chul Jin, Kim Jin Whan, Namgung Seok Daniel, Applied Surface Science . 2020,第Auga1期

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5. Integration of non-volatile memory with volatile memory for embedded memory architectures and signal processing applications [D] . Choi, David Suho 2008

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