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Study on Reduction of Micro-Scratch in Oxide CMP for Multi-Level Interconnection

机译：多级互连氧化物CMP微划痕的减少研究

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作者
Yohei YAMADA; Takahiro SUGAYA; Nobuhiro KONISHI; Shuhei KUROKAWA; Toshiro DOI;
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年度 2008
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1. A Study on Low-Damage CMP and Post-Cleaning for High-Speed LSI Interconnection [J] . Xun Gu 東北大学電通谈话会記録 . 2009,第1期

机译：高速LSI互连的低损伤CMP和后清洁研究
2. In situ immobilization of copper oxide thin-layer on Zeolitic Imidazolate Framework-67-derived cobalt oxide@nitrogen-doped carbon with multi-level architecture and versatile active sites for enhancing oxygen evolution/reduction reactions [J] . Du Jiannan, You Shijie, Li Xuerui, Journal of power sources . 2020,第Deca1期

机译：原位固定在沸石上氧化铜薄层对沸石咪唑酯骨架-67衍生的钴氧化物，具有多级架构和多功能活性位点，用于增强氧气进化/还原反应
3. The effect of CeO2 abrasive size on dishing and step height reduction of silicon oxide film in STI-CMP [J] . Lim DS, Ahn JW, Park HS, Surface & Coatings Technology . 2005,第5a6期

机译：CeO2磨料尺寸对STI-CMP中凹陷和氧化硅膜台阶高度减小的影响
4. Reduction of micro-scratch using slurry filter in oxide CMP (chemical mechanical polishing) for multi-level interconnections [C] . Chul-Bok Kim, Sang-Yong Kim, Yong-Jin Seo Electrical Insulating Materials, 2001. (ISEIM 2001). Proceedings of 2001 International Symposium on . 2001

机译：在多级互连的氧化物CMP（化学机械抛光）中使用浆料过滤器减少微划痕
5. Study of interfacial interaction during chemical mechanical polishing (CMP) of dielectric silicon dioxide. [D] . Choi, Wonseop. 2003

机译：研究介电二氧化硅的化学机械抛光（CMP）过程中的界面相互作用。
6. STUDIES ON OXIDATION-REDUCTION IN MILK I. OXIDATION-REDUCTION POTENTIALS AND THE MECHANISM OF REDUCTION [O] . H. R. Thornton, E. G. Hastings 1929

机译：牛奶中氧化还原的研究I.氧化还原电位及其还原机理
7. Electron Microscopic Studies on the Progress of Reduction of Colloidal Particles of Tungsten Trioxide and Nickel Oxide. (Electron Microscopic Studies on the Progress of Reduction of Metal Oxide by Hydrogen. 4th Report) [O] . Ryuzo Ueda 1959

机译：电子显微镜研究钨三氧化钨胶体颗粒减少进展。（电子显微镜研究氢气减少金属氧化物的进展。第四次报告）
8. Studies on Reduction of Noble Metal Surface Oxides in Relation to Electrochemical Oxygen Reduction Semiannual Report [R] . 1969

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