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INFLUENCE OF SILICON WAFER CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION ON ANODIZATION MECHANISM

机译：硅晶片结晶取向对阳极氧化机理的影响

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N. L. Grevtsov; A. V. Klimenka; A. D. Hurbo; V. P. Bondarenko;
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年度 2020
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1. Osciallaotry kinetics of anodic oxidation of silicon-influence of the crystallographic orientation [J] . V. Parkutik, F. Costa, L. Moya Microelectronics & Reliability . 2000,第4a5期

机译：硅阳极氧化的听觉动力学对晶体取向的影响
2. Effect of crystallographic orientation on tensile fractures of (100) and (110) silicon microstructures fabricated from silicon-on-insulator wafers [J] . Uesugi Akio, Hirai Yoshikazu, Sugano Koji, Micro & Nano Letters, IET . 2015,第12期

机译：晶体取向对由绝缘体上硅晶片制成的（100）和（110）硅微结构拉伸断裂的影响
3. The effect of silicon crystallographic orientation on the formation of silicon nanoclusters during anodic electrochemical etching [J] . Timokhov DF, Timokhov FP Semiconductors . 2009,第1期

机译：硅晶体取向对阳极电化学刻蚀过程中硅纳米团簇形成的影响
4. CRACK DISTRUBUTION AND STRENGTH OF SILICON WAFERS CONSIDERING THE CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION OF THE SILICON INGOT IN DIAMOND WIRE SAWING PROCESS [C] . Carola Klute, Ringo Koepge, Stephan Schoenfelder European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition . 2016

机译：考虑金刚晶锭晶锭的晶体取向，硅晶片的裂纹分散和强度
5. Numerical modeling of the failure mechanisms in silicon thin film anode for lithium-ion batteries [D] . Patel, Siddharth H. 2011

机译：锂离子电池硅薄膜负极失效机理的数值模拟
6. Crystallographic plane-orientation dependent atomic force microscopy-based local oxidation of silicon carbide [O] . Jung-Joon Ahn, Yeong-Deuk Jo, Sang-Cheol Kim, 2011

机译：基于晶体平面取向的原子力显微镜基于的碳化硅局部氧化
7. Effect of crystallographic orientation on tensile fractures of (100) and (110) silicon microstructures fabricated from silicon-on-insulator wafers [O] . Uesugi Akio, Tsuchiya Toshiyuki, Tabata Osamu, 2015

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