机译:具有立方GaN(111)外延中间层的GaAs(111)B上MOVPE生长的GaN层的表征
机译:通过X射线驻波和光致发光光谱研究了MOVPE生长的超薄InAs层中GaAs(001)中埋入的层的完美性
机译:通过X射线驻波和光致发光光谱研究了MOVPE生长的超薄InAs层中GaAs(001)中埋入的层的完美性
机译:GaAs(111)B与立方GaN(111)外延中间层的表征Movpe-生长的GaN层
机译:GaAs / AlGaAs系统的异质结:通过金属有机化学气相沉积进行的晶体生长以及使用电容电压技术进行表征,以确定导带不连续性
机译:电子束法表征MOCVD InGaP / GaAs结中界面处多余层的化学性质
机译:通过激光原子层外延生长的GaAs和AlGaAs层的表征
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征