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【2h】

Low-Temperature Formation of Poly-Si_1-xGe_x (0le;xle;1) Films by Ni-Induced Lateral Crystallization for Advanced TFT

机译：通过Ni诱导的TFT横向结晶，低温形成Poly-Si _{1-x / sub> ge _{x （0≤x≤1）膜，用于高级TFT}}

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Hiroshi Kanno; Atsushi Kenjo; Taizoh Sadoh; Masanobu Miyao;
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年度 2006
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