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【2h】

Impact of Transport Anisotropy on the Performance of van der Waals Materials-Based Electron Devices

机译：运输各向异性对van der WALS材料的电子设备的影响

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作者
Wei Cao; Mengqi Huang; Chao-Hui Yeh; Kamyar Parto; Kaustav Banerjee;
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年度 2020
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1. Impact of Transport Anisotropy on the Performance of van der Waals Materials-Based Electron Devices [J] . Cao Wei, Huang Mengqi, Yeh Chao-Hui, IEEE Transactions on Electron Devices . 2020,第3期

机译：运输各向异性对van der WALS材料的电子设备的影响
2. Strong electrically tunable MoTe_2/graphene van der Waals heterostructures for high-performance electronic and optoelectronic devices [J] . Feng Wang, Lei Yin, Zhenxing Wang, Applied Physics Letters . 2016,第19期

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3. Staggered band offset induced high performance opto-electronic devices: Atomically thin vertically stacked GaSe-SnS_2 van der Waals p-n heterostructures [J] . Perumal Packiyaraj, Ulaganathan Rajesh Kumar, Sankar Raman, Applied Surface Science . 2021,第Jana1期

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4. Optoelectronic devices based on van der Waals heterostructures [C] . Goki Eda1 日本化学会春季年会 . 2020

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5. Two-Dimensional van der Waals Materials: Characterization and Electronic Device Applications. [D] . Samnakay, Rameez Rauf. 2016

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6. Elastic Deformations in 2D van der waals Heterostructures and their Impact on Optoelectronic Properties: Predictions from a Multiscale Computational Approach [O] . Hemant Kumar, Dequan Er, Liang Dong, -1

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7. p-MoS2/n-InSe van der Waals heterojunctions and their applications in all-2D optoelectronic devices [O] . Pan Li, Kai Yuan, Der-Yuh Lin, 2019

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