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机译:自参考传感方案磁隧道结设计边缘探索
Z. Sun; H. Li; X. Wang;
机译:自参考感应方案的磁性隧道结设计裕度探索
机译:使用CoFeB / MgO / CoFeB隧道结和超顺磁性CoFeB层的磁场感应方案
机译:基于磁隧道结电压辅助开关的位元建模与设计空间探索
机译:(07C726)自参考传感方案的磁隧道结设计边缘探索
机译:用于低磁场感测的磁隧道连接
机译:用超级磁性CO50FE50自由层的MgO双阻挡磁隧道交叉区的场感。
机译:用于优化传感性能的自旋相关隧道结的微磁设计
机译:非易失性(NV)内容可寻址存储器(CAM)(NV-CAM)单元采用差分磁隧道结(MTJ)感应以提高感应裕度
机译:磁存储器,能够随着磁隧道结的磁阻比的增加而增加写/读容限
机译:具有与反铁磁耦合层相关联的多个铁磁层的磁头和隧道结磁阻磁头,用于反偏压感应自由层
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