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机译:通过在高静压压力下退火的单晶GE掺杂硅中的缺陷
A. Misiuk; B. Surma; A. Wnuk; J. Bak-Misiuk; P. Romanowski; W. Wierzchowski; K. Wieteska; N.V. Abrosimov; W. Graeff;
机译:注入的硅中的电活性缺陷:高静水压力和电子辐射下退火的影响
机译:静水压力下退火的自植入硅的缺陷结构-电子显微镜研究
机译:静压条件下氢注入和退火后无位错硅的缺陷结构
机译:增强静压压力退火的硅氧膜的性能
机译:静水压力对金空位中淬火后退火的影响。
机译:退火引起的升华生长立方碳化硅点缺陷性质的变化
机译:单晶UNi0.5Sb2的静水压力研究
机译:静电压力引起辐照钼中缺陷团簇的退火,
机译:制造单晶硅衬底的盘形表面结构的方法以及具有盘形表面结构的单晶硅基体
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:用于生产压力传感器的硅晶片键合方法,涉及在退火步骤中,在二氧化硅形成的情况下,使腔体内的氧气与壁中的硅进行原位反应
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