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【2h】

Effect of substrate polishing on the growth of graphene on 3C–SiC(111)/Si(111) by high temperature annealing

机译：基材抛光对高温退火的3C-SiC（111）/ Si（111）对石墨烯生长的影响

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B Gupta; I Di Bernardo; P Mondelli; A Della Pia; M G Betti; F Iacopi; C Mariani; N Motta;
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年度 2016
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