机译:用于p-i-n辐射探测器的CdZnTe和CdSeTe晶体的生长
机译:明亮和水溶性的近红外发射CdSe / CdTe / ZnSe II型/ I型纳米晶体,通过生长调节效率和稳定性
机译:厚氧化铝膜形成的Cdse和Cdte晶体的生长
机译:HPVB和HPVZM形状的CdZnTe,CdSe和ZnSe晶体生长
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:CdSe环和Tri状的纳米晶体:受控的合成生长机理和光致发光性质。
机译:CdSe环和Tri状的纳米晶体:受控的合成,生长机理和光致发光性质。
机译:HpVB和HpVZm形状生长CdZnTe,Cdse和Znse晶体