机译：富勒烯分子抗蚀剂上的氦离子束光刻技术，用于低于10 nm的图案形成
机译：基于镍的负色调金属氧化物簇的研制抗亚10 nm电子束和氦离子束光刻的抗蚀剂
机译：使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距的线和间隔图案的理论研究：V.最佳束大小
机译：像素剂量优化对EUV抗蚀剂上氦离子束光刻的图案保真度的影响
机译：聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译：海藻糖糖醇抗性可通过电子束光刻直接写入蛋白质图案
机译：富勒烯分子上的氦离子束光刻用于亚10nm图案化
