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Correction: High-Performance ZnO Transistors Processed Via an Aqueous Carbon-Free Metal Oxide Precursor Route at Temperatures Between 80-180 °C

机译：校正：通过在80-180°C的温度下，通过含有无碳金属氧化物前体途径加工的高性能ZnO晶体管

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Yen-Hung Lin; Hendrik Faber; Kui Zhao; Qingxiao Wang; Aram Amassian; Martyn McLachlan; Thomas D. Anthopoulos;
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年度 2013
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