机译:在硅上生长的基于InGaN的激光二极管的腔镜的晶片上制造
机译:用ALD沉积的DBR制造蚀刻镜UV-C激光二极管的晶片制造
机译:腔长小于300μm的短腔InGaN基激光二极管
机译:氢离子注入技术制备基于InGaN的绿色谐振腔发光二极管
机译:广泛可调的不对称多量子阱耦合腔二极管激光器的设计,制造和分析。
机译:在硅上生长的基于InGaN的激光二极管的腔镜的晶片上制造
机译:短腔IngaN的激光二极管,腔长度低于300μm
机译:在(al)GaInsb组成梯度变质缓冲层上生长的3微米二极管激光器。