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Importance of the Debye Screening Length on Nanowire Field Effect Transistor Sensors

机译：德比筛分长度对纳米线场效应晶体管传感器的重要性

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Eric Stern; Robin Wagner; Fred J. Sigworth; Ronald Breaker; Tarek M. Fahmy; Mark A. Reed;
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年度 2007
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1. Importance of the Debye Screening Length on Nanowire Field Effect Transistor Sensors [J] . Eric Stern, Robin Wagner, Fred J.Sigworth Nano letters . 2007,第11期

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2. A new biosensor detection system to overcome the Debye screening effect: dialysis-silicon nanowire field effect transistor [J] . Hang Chen, Xiaoqian Zhao, Zhong Xi, International Journal of Nanomedicine . 2019,第2期

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3. Performance Enhancement of Nanowire Tunnel Field-Effect Transistor With Asymmetry-Gate Based on Different Screening Length [J] . Jhan Y.-R., Wu Y.-C., Hung M.-F. IEEE Electron Device Letters . 2013,第12期

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4. Field-effect control of ions beyond debye-screening limit in nanofluidic transistors [C] . Qiushi Ran, Yang Liu, Robert W. Dutton IEEE International Electron Devices Meeting . 2015

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5. Nanowire field-effect transistors for gas sensor applications [D] . Constantinou, Marios. 2017

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