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机译:在CL2 / HBr / CF4反应离子硅蚀刻之后去除光致抗蚀剂掩模
Tae-Kyung Ha; Jong-Chang Woo; Gwan-Ha Kim; Chang-Il Kim;
机译:Cl2 / HBr / O2高密度等离子体中非晶硅栅刻蚀特性
机译:使用正性光刻胶作为有机电解质中的蚀刻掩模,通过电化学蚀刻形成p硅线
机译:通过使用光致抗蚀剂掩模的湿法蚀刻制造的具有蜂窝状表面的高效工业多晶硅太阳能电池
机译:使用微针掩模设计表征KOH硅蚀刻剂中的光刻胶蚀刻
机译:用于纳米光刻掩模的二氧化硅的化学增强气相蚀刻
机译:基于HBr / O的重掺杂多晶硅反应离子蚀刻的研究
机译:基于HBr / O2 / HE散热装置的掺杂多晶硅反应离子蚀刻的研究
机译:去除光刻胶掩模的方法,该光刻胶掩模用于在低K碳掺杂的氧化硅介电材料中制作通孔,并去除通孔形成中的蚀刻残留物并去除光刻胶掩模
机译:用于去除掺杂低钾碳的氧化硅介电材料中的光刻胶的工艺以及用于去除光刻胶残留物的工艺以及去除光刻胶的工艺
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