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【2h】

A microscopic mechanism of dielectric breakdown in SiO2 films: An insight from multi-scale modeling

机译：SiO2薄膜介电击穿的显微镜机制：多尺度建模的洞察

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A. Padovani; D. Z. Gao; A. L. Shluger; L. Larcher;
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年度 2017
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1. A microscopic mechanism of dielectric breakdown in SiO_2 films: An insight from multi-scale modeling [J] . A. Padovani, D. Z. Gao, A. L. Shluger, Journal of Applied Physics . 2017,第15期

机译：SiO_2薄膜介电击穿的微观机理：多尺度建模的启示
2. A study of dielectric breakdown mechanism through the statistical analysis of post-breakdown resistance of thin SiO2 films [J] . Science and technology of advanced materials . 2000,第3期

机译：通过对SiO2薄膜击穿后电阻的统计分析研究介电击穿机理
3. Dielectric breakdown in electrically stressed thin films of thermal SiO2 [J] . Journal of Applied Physics . 1978,第4期

机译：SiO2电应力薄膜的介电击穿
4. Time-dependent dielectric breakdown statistics in SiO2and HfO2dielectrics: Insights from a multi-scale modeling approach [C] . Andrea Padovani, Luca Larcher International Reliability Physics Symposium . 2018

机译：SiO 2 和HfO 2 电介质中随时间变化的介电击穿统计：来自多尺度建模方法的见解
5. Non-Prestonian RRs of poly-Si and SiO2 Films and Effect of Residual Stress on RRs of Various Types of SiO2 and Si 3N4 Films. [D] . Korkmaz, Sevim. 2017

机译：多晶硅和SiO2薄膜的非Prestonian RRs和残余应力对各种类型的SiO2和Si 3N4薄膜的RRs的影响。
6. Time Dependent Dielectric Breakdown in Copper Low-k Interconnects: Mechanisms and Reliability Models [O] . Terence K.S. Wong 2012

机译：铜低k互连中随时间变化的介电击穿：机理和可靠性模型
7. A study of dielectric breakdown mechanism through the statistical analysis of post-breakdown resistance of thin SiO2 films [O] . A. Toriumi, H. Satake 2000

机译：通过薄SiO2薄膜突破性抗撕裂性统计分析的介电击穿机制研究

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