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【2h】

A generalized EKV charge-based MOSFET model including oxide and interface traps

机译：基于EKV电荷的MOSFET模型，包括氧化物和界面陷阱

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作者
Chun-Min Zhang; Farzan Jazaeri; Giulio Borghello; Serena Mattiazzo; Andrea Baschirotto; Christian Enz;
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年度 2021
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1. A generalized EKV charge-based MOSFET model including oxide and interface traps [J] . Zhang Chun-Min, Jazaeri Farzan, Borghello Giulio, Solid-State Electronics . 2021,第Mara期

机译：基于EKV电荷的MOSFET模型，包括氧化物和界面陷阱
2. Charge-Based Modeling of Double-Gate and Nanowire Junctionless FETs Including Interface-Trapped Charges [J] . Ashkhen Yesayan, Farzan Jazaeri, Jean-Michel Sallese IEEE Transactions on Electron Devices . 2016,第3期

机译：基于双栅极和纳米线无结FET的基于电荷的建模，包括界面陷阱电荷
3. A design oriented charge-based current model for symmetric DG MOSFET and its correlation with the EKV formalism [J] . Jean-Michel Sallese, Francois Krummenacher, Fabien Pregaldiny, Solid-State Electronics . 2005,第3期

机译：面向设计的对称DG MOSFET的基于电荷的电流模型及其与EKV形式的关系
4. A full-quantum simulation study of InGaAs NW MOSFETs including interface traps [C] . Michele Visciarelli, Antonio Gnudi, Elena Gnani, European Solid-State Device Research Conference . 2016

机译：包含界面陷阱的InGaAs NW MOSFET的全量子仿真研究
5. Modeling the current-voltage (I-V) characteristics of the MOSFET device with quantum mechanical effects due to thin oxide near silicon/silicon dioxide interface using asymptotic methods. [D] . Abebe, Henok. 2002

机译：使用渐近方法，利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物，利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压（I-V）特性进行建模。
6. Metal oxide-graphene field-effect transistor: interface trap density extraction model [O] . Faraz Najam, Kah Cheong Lau, Cheng Siong Lim, 2016

机译：金属氧化物-石墨烯场效应晶体管：界面陷阱密度提取模型
7. Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs [O] . Lysenko, V.S., Tyagulski, I.P., Gomeniuk, Y.V., 2001

机译：氧化物半导体界面陷阱对MOSFET低温工作的影响

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