机译:通过Si衬底的改性预处理在P-Basi2 / n-Si异质结太阳能电池中降低界面缺陷密度
机译:通过改良的硅基板预处理降低p-BaSi_2 / n-Si异质结太阳能电池的界面缺陷密度
机译:模拟缺陷参数对P-Basi2 / N-Si异质结太阳能电池性能的影响
机译:模拟和研究缓冲本征层,背面电场,界面缺陷密度,p型硅衬底和透明导电氧化物的电阻对本征太阳能电池异质结的影响
机译:使用Si(OOl)衬底研究p-BaSi2 / n-Si异质结太阳能电池
机译:H2S反应和指叉背接触式硅异质结(IBC-SHJ)太阳能电池的构图工艺使硅缺陷钝化
机译:有机肖特基势垒太阳能电池的界面工程及其在提高平面异质结太阳能电池性能中的应用
机译:Basi2template Growt期对P-Basi2 / N-Si异质结太阳能电池缺陷和性能产生的影响
机译:用于aBCs器件的低缺陷密度基板和高质量外延衬底接口以及声子介导的THz激光器的进展