首页> 外文OA文献 >From Atomic Layer Controlled Epitaxy to Atomic Position Controlled Epitaxy.

【2h】

From Atomic Layer Controlled Epitaxy to Atomic Position Controlled Epitaxy.

机译：从原子层控制外延对原子位置控制的外延。

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Tatau NISHINAGA;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1991
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Investigations on the roles of position controlled Al layers incorporated into an Al-doped ZnO active channel during atomic layer deposition for thin film transistor applications [J] . Kim Eom-Ji, Lee Won-Ho, Yoon Sung-Min Japanese journal of applied physics . 2016,第3S1期

机译：关于在薄膜晶体管应用中原子层沉积过程中掺入Al掺杂的ZnO有源通道中的位置控制Al层的作用的研究
2. Surface-controlled growth of LaAlO3 thin films by atomic layer epitaxy [J] . Nieminen M., Rauhala E., Putkonen M., Journal of Materials Chemistry: An Interdisciplinary Journal dealing with Synthesis, Structures, Properties and Applications of Materials, Particulary Those Associated with Advanced Technology . 2001,第9期

机译：LaAlO3薄膜的原子层外延表面控制生长
3. Threshold voltage control of a thin-film transistor using an Al-Zn-O channel prepared using atomic layer deposition by controlling the Al dopant positions [J] . Kim Eom-Ji, Lee Won-Ho, Yoon Sung-Min RSC Advances . 2016,第95期

机译：通过使用Al-Zn-O通道控制薄膜的阈值电压，该通道使用原子层沉积法通过控制Al掺杂剂位置来制备
4. (Invited) Ga_2O_3 Phase Control and Heterojunctions Using Plasma-Enhanced Atomic Layer Epitaxy [C] . Virginia D. Wheeler, Neeraj Nepal, David R. Boris, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science . 2020

机译：（邀请的）Ga_2O_3使用等离子体增强原子层外延的相控和异质功能
5. Growth of Atomic Hexagonal Boron Nitride Layers and Graphene/Hexagonal Boron Nitride Heterostructures by Molecular Beam Epitaxy. [D] . Xu, Zhongguang. 2016

机译：通过分子束外延生长原子六方氮化硼层和石墨烯/六方氮化硼异质结构。
6. Low-temperature atomic layer epitaxy of AlN ultrathin films by layer-by-layer in-situ atomic layer annealing [O] . Huan-Yu Shih, Wei-Hao Lee, Wei-Chung Kao, -1

机译：逐层原位原子层退火法制备AlN超薄膜的低温原子层外延
7. Comparative Study on Surfaces of Single-Crystalline Substrates. From Dielectric Substance to Semiconductor and Metal. Atomic Scale Surface Control of Metal Oxide Substrates towards Perfect Epitaxy. [O] . Masashi KAWASAKI, Mikk LIPPMAA, Masashi NAKAMURA, 2000

机译：单晶衬底表面的比较研究。从介电物质到半导体和金属。金属氧化物基材对完美外延的原子尺度尺度控制。
8. Trilayer Josephson junctions produced by atomic layer-by-layer FORCE (Flexible Oxide Reaction Controlled Epitaxy). Final report [R] . 1995

机译：由原子层逐层FORCE（柔性氧化物反应控制外延）产生的三层约瑟夫森结。总结报告

From Atomic Layer Controlled Epitaxy to Atomic Position Controlled Epitaxy.

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅