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【2h】

Tunable inverted gap in monolayer quasi-metallic MoS2 induced by strong charge-lattice coupling

机译：通过强电荷 - 格子耦合引起的单层准金属MOS2中可调倒置间隙

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Xinmao Yin; Qixing Wang; Liang Cao; Chi Sin Tang; Xin Luo; Yujie Zheng; Lai Mun Wong; Shi Jie Wang; Su Ying Quek; Wenjing Zhang; Andrivo Rusydi; Andrew T. S. Wee;
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年度 2017
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