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【2h】

Carrier‐storage‐enhanced superjunction IGBT with n‐Si and p‐3C‐SiC pillars

机译：具有N-Si和P-3C-SiC支柱的载流子储存增强超结IGBT

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作者
Rui Li; Mingmin Huang; Zhimei Yang; Yao Ma; Min Gong;
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年度 2019
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