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【2h】

Design Considerations of Ferroelectric Properties for Negative Capacitance MOSFETs

机译：负电容MOSFET的铁电性能的设计考虑因素

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Ali Saeidi; Farzan Jazaeri; Igor Stolichnov; Christian C. Enz; Adrian M. Ionescu;
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年度 2018
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1. Transient negative capacitance and charge trapping in FDSOI MOSFETs with ferroelectric HfYO_x [J] . Han Qinghua, Aleksa Paulus, Tromm Thomas Carl Ulrich, Solid-State Electronics . 2019,第SEPa期

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2. Transient negative capacitance and charge trapping in FDSOI MOSFETs with ferroelectric HfYO_x [J] . Han Qinghua, Aleksa Paulus, Tromm Thomas Carl Ulrich, Solid-State Electronics . 2019,第Sepa期

机译：铁电HFYO_X的FDSOI MOSFET中的瞬态负电容和电荷诱捕
3. Effect of Ferroelectric Damping on Dynamic Characteristics of Negative Capacitance Ferroelectric MOSFET [J] . Yang Li, Kui Yao, Ganesh Shankar Samudra IEEE Transactions on Electron Devices . 2016,第9期

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4. Design Considerations of Ferroelectric Properties for Negative Capacitance MOSFETs [C] . Ali Saeidi, Farzan Jazaeri, Igor Stolichnov, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference . 2018

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5. Design and Characterization of Ferroelectric Negative Capacitance [D] . Chatterjee, Korok. 2018

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6. Nanocrystal-Embedded-Insulator (NEI) Ferroelectric FETs for Negative Capacitance Device and Non-Volatile Memory Applications [O] . Yue Peng, Genquan Han, Wenwu Xiao, 2019

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7. On device design for steep-slope negative-capacitance field-effect-transistor operating at sub-0.2V supply voltage with ferroelectric HfO2 thin film [O] . Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto 2016

机译：利用铁电HfO2薄膜在低于0.2V电源电压下工作的陡坡负电容场效应晶体管器件设计

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