首页> 外文OA文献 >Influence of Sacrificial Layer Germanium Content on Stacked-Nanowire FET Performance

【2h】

Influence of Sacrificial Layer Germanium Content on Stacked-Nanowire FET Performance

机译：牺牲层锗含量对堆叠纳米线FET性能的影响

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Fabian J. Klupfel;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2019
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Germanium content and base doping level influence on extrinsic base resistance and dynamic performances of SiGe:C heterojunction bipolar transistors [J] . E Ramirez-Garcia, N Zerounian, F Aniel, Semiconductor science and technology . 2014,第9期

机译：锗含量和基极掺杂水平对非本征基极电阻和SiGe：C异质结双极晶体管的动态性能的影响
2. Impact of source-doping gradient in terms of lateral straggle on the performance of germanium epitaxial layer double-gate TFET [J] . Radhe Gobinda Debnath, Srimanta Baishya Applied Physics . 2020,第11期

机译：源 - 掺杂梯度在横向竖起方面的影响，对锗外延层双门TFET的性能
3. Influence of Germanium Source Dual Halo Dual Dielectric Triple Material Surrounding Gate Tunnel FET for Improved Analog/RF Performance [J] . Venkatesh M., Suguna M., Balamurugan N. B. Silicon . 2020,第12期

机译：锗源双光双介质三重材料围绕闸门隧道FET的影响改进模拟/射频性能
4. Uniaxial Strained Silicon n-FETs on Silicon-Germanium-on-Insulator Substrates with an e-Si_(0.7)Ge_(0.3) Stress Transfer Layer and Source/Drain Stressors for performance enhancement [C] . Grace Huiqi Wang, Eng-Huat Toh, Yong-Lim Foo, European Solid-State Device Research Conference;ESSDERC; 20070911-13;20070911-13; Muenchen(DE);Muenchen(DE) . 2007

机译：具有e-Si_（0.7）Ge_（0.3）应力转移层和源/漏应力源的绝缘子上硅锗衬底上的单轴应变n FET
5. Characterization of heteroepitaxial silicon germanium carbon layers for metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) applications. [D] . Bjeletich, Peter John. 2005

机译：用于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）应用的外延硅锗碳层的表征。
6. Germanium as a scalable sacrificial layer for nanoscale protein patterning [O] . Bochao Lu, Michel M. Maharbiz -1

机译：锗作为可扩展的牺牲层用于纳米级蛋白质构图
7. Germanium as a scalable sacrificial layer for nanoscale protein patterning [O] . Bochao Lu, Michel M. Maharbiz 2018

机译：锗作为纳米级蛋白质图案的可扩展牺牲层

Influence of Sacrificial Layer Germanium Content on Stacked-Nanowire FET Performance

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅