机译:自旋电子器件应用中高度L2_1有序的全Heusler合金Co_2FeAI_(0.5)Si_(0.5)薄膜的制备和表征
机译:使用全Heusler合金的Co-_2 $ Cr $ _0.6 $ Fe $ _0.4 $ Al薄膜和MgO隧道势垒在完全外延磁性隧道结中的高度自旋极化隧道
机译:硅基自旋电子器件应用的绝缘体上硅衬底上的铁磁DO_3相Fe_3Si薄膜的制备与表征
机译:使用全包合金Co {Sub} 2CR {Sub} 0.6FE {Sub} 0.4AL薄膜和MgO隧道屏障在完全外延磁隧道结中的高度自旋极化隧道隧道。
机译:用于自旋电子学的高度自旋极化的二硫化钴铁薄膜。
机译:揭示外延分裂磁滞回线的机理Co2Fe1-xMnxAl全Heusler合金膜
机译:使用全Heusler合金Co2Cr0.6Fe0.4Al薄膜和MgO隧道势垒的全外延磁性隧道结中的高度自旋极化隧道