机译:使用NH 3使用异致Ni前体的镍的原子层沉积,并选择性沉积石墨烯的缺陷
机译:使用Ni(Dmamb)(2)作为Ni前体的低温原子层沉积硫化镍和氧化镍薄膜
机译:原子层沉积前体通过聚合物掩膜层的传输行为:对区域选择性原子层沉积的影响
机译:原子层沉积中PT纳米颗粒的MCP2(M = Fe,Co和Ni)前体的边缘选择性生长:一种理论和实验研究
机译:用于原子层沉积的异杀菌剂前体
机译:原子/分子层沉积制备的尺寸选择催化剂和负载型镍催化剂
机译:杂原子镍的原子层沉积NH3的Ni前体和缺陷的选择性沉积石墨烯
机译:通过原子层沉积在石墨烯线缺陷处进行选择性金属沉积
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。