机译:3C和4H SiC上的PECVD和热栅氧化物:对泄漏,陷阱和能量偏移的影响
机译:界面陷阱对n型金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极感应的漏极泄漏电流的影响
机译:基于地震属性分析的构造背景对尼日利亚尼日尔三角洲陆上油气捕集机制的影响
机译:陷阱属性对2D MS-EMC Nanodemice Simulator中栅极泄漏机制的影响
机译:转录延长和暂停的机制由集成的光学陷阱流控制视频显微镜研究。
机译:二维MS-EMC纳米器件模拟器中S / D隧穿模型的量子增强:NEGF比较和有效质量变化的影响
机译:S / D隧道模型的量子增强在2D MS-EMC Nanodemice模拟器中:Negf比较和有效质量变化的影响
机译:ZmR(区域熔化 - 再结晶)和sImOX(氧注入)sOI(绝缘体上硅)mOsFET中的栅极氧化物泄漏和电荷俘获的研究