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High-Field Hole Transport in Strained Si and SiGe by Monte Carlo Simulation: Full Band Versus Analytic Band Models

机译：由蒙特卡罗模拟中应变Si和Sige中的高场孔运输：全带与分析乐队模型

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F. M. Bufler; P. Graf; B. Meinerzhagen;
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年度 1998
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1. High-Field Hole Transport in Strained Si and SiGe by Monte Carlo Simulation:Full Band Versus Analytic Band Models [J] . F. M.Bufler, P.Graf, B.Meinerzhagen VLSI Design . 1998,第1a4期

机译：蒙特卡罗模拟应变硅和硅锗中的高场空穴输运：全谱带与解析谱带模型
2. Full band Monte Carlo simulations of high-field electron transport in wide band-gap semiconductors [J] . Niels Fitzer, Angelika Kuligk, Ronald Redmer, Semiconductor science and technology . 2004,第4期

机译：宽带隙半导体中高场电子传输的全频带蒙特卡罗模拟
3. A semiempirical surface scattering model for quantum corrected full-band Monte-Carlo simulation of biaxially strained Si/SiGe NMOSFETs [J] . A.T. Pham, C. D. Nguyen, C. Jungemann, Solid-State Electronics . 2006,第4期

机译：用于双轴应变Si / SiGe NMOSFET的量子校正全频带蒙特卡罗仿真的半经验表面散射模型
4. Monte Carlo-Based Analytical Models for Electron and Hole Electrical Parameters in Strained SiGeC Alloys [C] . Marc Michaillat, Denis Rideau, Frederic Aniel, International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices . 2009

机译：基于Monta Carlo的电子和孔电气参数的分析模型在紧张的Sigec合金中
5. Transport modeling in gallium nitride materials and devices based on full-band cellular Monte Carlo simulation. [D] . Yamakawa, Shinya. 2005

机译：基于全波段蜂窝蒙特卡洛模拟的氮化镓材料和器件中的传输模型。
6. Spectroscopy on the B850 band of individual light-harvesting 2 complexes of Rhodopseudomonas acidophila. I. Experiments and Monte Carlo simulations. [O] . M Ketelaars, A M van Oijen, M Matsushita, 2001

机译：嗜酸红假单胞菌2个单个光捕获物的B850谱图。 I.实验和蒙特卡洛模拟。
7. Efficient hole transport model in warped bands for use in the simulation of Si/SiGe MOSFETs [O] . Watling, J.R., Asenov, A., Barker, J.R. 1998

机译：用于模拟si / siGe mOsFET的翘曲带中的有效空穴传输模型
8. Monte Carlo Simulation of Hole Transport in Strained Si(1-x)Ge(x) [R] . Yamada, T., Ferry, D. K. 1995

机译：应变si（1-x）Ge（x）中空穴传输的monte Carlo模拟

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