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【2h】

Hall Effect Devices with Three Terminals: Their Magnetic Sensitivity and Offset Cancellation Scheme

机译：霍尔效应具有三个终端的设备：它们的磁敏度和偏移消除方案

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Udo Ausserlechner;
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年度 2016
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1. Hall Effect Devices with Three Terminals: Their Magnetic Sensitivity and Offset Cancellation Scheme [J] . Ausserlechner Udo Journal of Sensors . 2016,第Pta4期

机译：具有三个端子的霍尔效应器件：其磁灵敏度和失调对消方案
2. Monolithic magnetic Hall sensor using dynamic quadrature offset cancellation [J] . Bilotti A., Monreal G. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 1997,第6期

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3. Magnetic Oscillations Driven by the Spin Hall Effect in 3-Terminal Magnetic Tunnel Junction Devices [J] . Luqiao Liu, Chi-Feng Pai, D.C. Ralph, Physical review letters . 2012,第18期

机译：3端磁隧道结设备中由自旋霍尔效应驱动的磁振荡
4. Sensitivity calibration and test of a 3D hall integrated sensor device with an external magnetic field source on a new ATE concept [C] . Giorgi Luca International Mixed-Signals Testing Workshop . 2015

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5. Indium arsenide quantum well micro-Hall devices for magnetic detection of biomolecular labels. [D] . Aledealat, Khaled M. 2010

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机译：具有高灵敏度和线性特性的单片CMOS磁性霍尔传感器
7. A Low Noise Offset Cancellation Method for Improving Sensitivity of CMOS Hall Sensor [O] . Se-Mi Lim, Jun-Seok Park 2019

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