首页> 外文OA文献 >Pattern Collapse Improvement in ArF Resist: Effect of Surfactant-added Rinse and Soft Bake

【2h】

Pattern Collapse Improvement in ArF Resist: Effect of Surfactant-added Rinse and Soft Bake

机译：ARF抗蚀剂的模式塌陷改善：表面活性剂加入漂洗和软烘烤的影响

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Myoung-Ho Jung; Hyun-Woo Kim; Sung-Ho Lee; Sang-Gyun Woo; Han-Ku Cho; Woo-Sung Han;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2003
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Pattern Collapse Improvement in ArF Resist: Effect of Surfactant-added Rinse and Soft Bake [J] . Myoung-Ho Jung, Hyun-Woo Kim, Sung-Ho Lee, Journal of Photopolymer Science and Technology . 2003,第3期

机译：ArF抵抗中的图案塌陷改善：添加表面活性剂的漂洗和软烘烤的影响
2. Analysis of pattern collapse of ArF excimer laser resist by direct peeling method with atomic force microscope tip [J] . Akira Kawai, Norio Moriike Microelectronic Engineering . 2001,第期

机译：原子力显微镜尖端直接剥离法分析ArF准分子激光抗蚀剂的图案塌陷
3. Improvement of ArF Photo Resist Pattern by VUV Cure [J] . Hisakazu MIYATAKE, Takashi ITO IEICE Transactions on Electronics . 2007,第5期

机译：通过VUV固化改进ArF光致抗蚀剂图案
4. Characterization and Improvement of Resist Pattern Collapse on ArF (193nm) Organic B.A.R.C [C] . Young- Sun Hwang, Jae-Chang Jung, Kyu-Dong Park, Advances in Resist Technology and Processing XIX . 2002

机译：ArF（193nm）有机B.A.R.C上抗蚀剂图案塌陷的表征和改进
5. Improvement of sponge cake baking test procedure and characteristics of soft wheat flour desirable for making sponge cake. [D] . Choi, Hyun-Wook. 2012

机译：改进海绵蛋糕的烘烤测试程序，并改善制作海绵蛋糕所需的软质小麦粉的特性。
6. Elucidation of Softening Mechanism in Rinse-Cycle Fabric Softeners. Part 2: Uneven Adsorption—The Key Phenomenon to the Effect of Fabric Softeners [O] . Takako Igarashi, Koichi Nakamura, Masato Hoshi, -1

机译：阐明漂洗周期织物柔软剂的软化机理。第2部分：不均匀吸附-织物柔软剂作用的关键现象
7. Effects of Photoacid Generator Concentration and Post-Exposure Bake Temperature on Dissolution Behavior of ArF Excimer Laser Resists. [O] . Kenichi Kanzaki, Takeshi Ohfuji, Seiichi Tagawa 1999

机译：光酸发生器浓度及曝光后烘烤温度对ARF准分子激光抗蚀剂溶出行为的影响。
8. Acid-Catalyzed Single-Layer Resists for ArF Lithography [R] . Kunz, R. R. 1993

机译：用于arF光刻的酸催化单层抗蚀剂

Pattern Collapse Improvement in ArF Resist: Effect of Surfactant-added Rinse and Soft Bake

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅