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【2h】

Multiple Combined Write-Read Peripheral Assists in 6T FinFET SRAMs for Low-VMIN IoT and Cognitive Applications

机译：用于低VMIN IOT和认知应用的6T FinFET SRAM中的多个组合写入外设助攻

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Arijit Banerjee; Sumanth Kamineni; Benton H. Calhoun;
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年度 2018
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2. A 16 nm 128 Mb SRAM in High- src="/images/tex/243.gif" alt="kappa "> Metal-Gate FinFET Technology With Write-Assist Circuitry for Low-VMIN Applications [J] . Chen Y.-H., Chan W.-M., Wu W.-C., Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2015,第1期

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