首页> 外文OA文献 >Erratum: Distribution of nitrogen and defects in SiOxNy/Si structures formed by the thermal nitridation of SiO2/Si J. Appl. Phys. 59, 972 (1986)

【2h】

Erratum: Distribution of nitrogen and defects in SiOxNy/Si structures formed by the thermal nitridation of SiO2/Si J. Appl. Phys. 59, 972 (1986)

机译：错误：通过SiO2 / Si的热氮化形成的SiOxNy / Si结构中氮气和缺陷的分布J。苹果。物理。 59,972（1986）

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
R. P. Vasquez; A. Madhukar; F. J. Grunthaner; M. L. Naiman;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1986
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Erratum: Distribution of nitrogen and defects in SiOxNy/Si structures formed by the thermal nitridation of SiO2/Si [J. Appl. Phys. 59, 972 (1986)] [J] . Journal of Applied Physics . 1986,第11期

机译：勘误：通过SiO2 / Si热氮化形成的SiOxNy / Si结构中的氮分布和缺陷[J.应用物理59，972（1986）]
2. Distribution of nitrogen and defects in SiOxNy/Si structures formed by the thermal nitridation of SiO2/Si [J] . Journal of Applied Physics . 1986,第3期

机译：SiO2 / Si热氮化形成的SiOxNy / Si结构中氮的分布和缺陷
3. Erratum: ‘‘High‐temperature thermodynamic properties of alpha and gamma lanthanum sesquisulfides and related compounds’’ [J. Appl. Phys. 59, 3437 (1986)] [J] . Journal of Applied Physics . 1986,第9期

机译：勘误表：“α和γ倍半硫化镧和相关化合物的高温热力学性质”。应用物理59，3437（1986）]
4. NEGATIVE-BIAS-TEMPERATURE INSTABILITY IN Si/SiO2 AND Si/SiOxNy STRUCTURES [C] . A. G. Revesz, H. L. Hughes Electrochemical Society Meeting and Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide Thin Insulating Films, and Other Emerging Dieletrics . 2005

机译：Si / SiO2和Si / SiOxny结构中的负偏置温度不稳定
5. THERMAL NITRIDATION OF SILICON IN ACTIVE NITROGEN (THIN DIELECTRICS, PLASMA PROCESSING, VLSI MATERIALS, SILICON-NITRIDE, SILICON-OXYNITRIDE) [D] . GIRIDHAR, R. V. 1985

机译：活性氮中硅的热氮化（薄介电体，等离子体处理，超大型材料，氮化硅，氧化硅）
6. Erratum: Fourier-based magnetic induction tomography for mapping resistivity J. Appl. Phys. 109 014701 (2011) [O] . Steffan Puwal, Bradley Roth -1

机译：勘误表：基于傅里叶的磁感应层析成像法用于绘制电阻率图 J.应用物理109014701（2011）
7. Comment on “Nitridation effects on Pb1 center structures at SiO2∕Si(100) interfaces” J. Appl. Phys. 95, 4096 (2004) [O] . A. Stesmans, V. V. Afanas’ev 2007

机译：评论SiO2 / Si（100）界面PB1中心结构的“对PB1中心结构”的“J。苹果。物理。 95,4096（2004）
8. Distribution of Nitrogen and Defects in SiO(x)N(y)/Si Structures Formed by the Thermal Nitridation of SiO2/Si [R] . Vasquez, R. P., Madhukar, A., Grunthaner, F. J., 1986

机译：siO2 / si热氮化形成的siO（x）N（y）/ si结构中氮的分布和缺陷

Erratum: Distribution of nitrogen and defects in SiOxNy/Si structures formed by the thermal nitridation of SiO2/Si J. Appl. Phys. 59, 972 (1986)

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅