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机译:离子束损伤对相变随机存取存储器装置复位非晶体积观察的影响
J. Oh; Y. Jang; S. Jeon; T. Lee; W. Kim; H. Kim; C. Kim;
机译:Ge_2Sb_2Te_5相变随机存取存储器复位操作的仿真
机译:低复位电流和高热效率的相变随机存取存储器的有限元建模仿真
机译:有限元建模模拟低复位电流的环形接触器相变随机存取存储器
机译:用于改善512M相变随机存取存储器(PRAM)中的复位分布的新型散热单元方案
机译:具有相变随机存取存储器的氮掺杂锗锑碲化物的超晶格状结构。
机译:非晶Ge2Sb2Te5相变随机存取存储材料的耐辐射性起因
机译:通过无定形氧化铝的抵抗随机存取记忆效应直接观察电子结构改变
机译:电阻存储元件,相变存储元件,电阻随机存取存储装置,其信息读取方法,相变随机存取存储装置及其信息读取方法
机译:电阻存储器元件,相变存储器元件,电阻随机存取存储器装置,其信息读取方法,相变随机存取存储器装置及其信息读取方法
机译:相变随机存取存储器装置及其制造方法,能够降低下部电极接触和相变层之间的接触侧的复位电流
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