机译:通过电检测磁共振研究的锡/ Ti / HFO2 /锡电阻随机存取存储器的总电离剂量效应
机译:Ti / HFO2 / TIN电阻随机存取存储器中异常高电阻状态电流机构变换
机译:商业独立4 Mb电阻随机存取存储器(ReRAM)的总电离剂量和单事件效应
机译:基于1 Mb HfO_2的电阻随机访问存储器的总电离剂量和单事件效应
机译:基于1 Mb RfO
机译:总剂量辐射对CMOS 1M位动态随机存取存储器的影响。
机译:通过电检测磁共振研究TiN / Ti / HfO2 / TiN电阻性随机存取存储器的总电离剂量效应
机译:研究温度对基于ZnO,TiO2,WO3和HfO2的电阻式随机存取存储器(RRAM)器件的影响
机译:Li(1 + x)Ti(2-x)O4尖晶石化合物的超导和常态特性。 I.制备,晶体学,超导特性,电阻率,介电行为和磁化率。