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【2h】

Atomic-Monolayer Two-Dimensional Lateral Quasi-Heterojunction Bipolar Transistors with Resonant Tunneling Phenomenon

机译：具有谐振隧道现象的原子 - 单层二维横向拟异位结双极晶体管

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2. Self-consistent modeling of resonant interband tunneling in bipolar tunneling field-effect transistors [J] . Bigelow J.M., Leburton J.P. IEEE Transactions on Electron Devices . 1994,第2期

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3. Trigger voltage walk-out phenomenon in SOI lateral insulated gate bipolar transistor under repetitive electrostatic discharge stresses [J] . Zhang Shifeng, Han Yan, Ma Fei Solid-State Electronics . 2016,第May期

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机译：石墨烯晶体管中的共振隧穿和负差分电导
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