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Influence of light intensity on the lifetime of carriers in silicon investigated by a photoacoustic method

机译：光声强度对光声法研究硅载体寿命的影响

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L. Bychto; M. Maliński;
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年度 2016
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2. Experimental investigations of the dependence of the lifetime of the optically generated minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination [J] . Leszek BYCHTO, Mirosław MALIŃSKI Przeglad Elektrotechniczny . 2017,第8期

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3. Investigation of Silicon Surface Passivation by Microwave Annealing Using Multiple-Wavelength Light-Induced Carrier Lifetime Measurement [J] . Toshiyuki Sameshima, Ryoko Ebina, Koichi Betsuin, Japanese journal of applied physics . 2013,第1Issue1期

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