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【2h】

Novel Approaches to Reduce Substrate Dependency of DUV Chemically Amplified Photoresist.

机译：降低DUV化学放大光致抗蚀剂底物依赖性的新方法。

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作者
Jun-Sung Chun; Cheol-Kyu Bok; Ki-Ho Baik;
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年度 1997
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机译：DUV化学放大抗蚀剂中的抗蚀剂图案剥离评估
2. Fabrication of T-shaped gates using UVIII chemically amplified DUV resist and PMMA [J] . Chen Y., Macintyre D. Electronics Letters . 1999,第4期

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