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【2h】

ArF Chemically Amplified Negative Resist Using Alicyclic Epoxy Polymer.

机译：ARF使用脂环族环氧聚合物化学放大负抗蚀剂。

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Katsumi Maeda; Shigeyuki Iwasa; Kaichiro Nakano; Etsuo Hasegawa;
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年度 1998
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1. Design and Lithographic Characteristics of Alicyclic Fluoropolymer for ArF Chemically Amplified Resists [J] . Katsumi Maeda, Kaichiro Nakano, Masamitsu Shirai Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters & Express Letters . 2006,第46a50期

机译：ArF化学增强抗蚀剂脂环族含氟聚合物的设计和光刻特性
2. Relationship Between Sensitivities Of Chemically Amplified Resist Based On Adamantane Derivatives Upon Exposure To Arf Excimer Laser, Electron Beam, And Extreme Ultraviolet Radiation [J] . Kikuo Furukawa, Takahiro Kozawa, Shu Seki, Applied physics express . 2008,第6期

机译：Arf受激准分子激光，电子束和极紫外辐射照射下基于金刚烷衍生物的化学放大抗蚀剂的灵敏度之间的关系
3. Properties and Lithographic Capability of Sulfonium Salts with Aromatic Cyclic Ketone Group for ArF Chemically Amplified Resist [J] . Katsumi Maeda, Kaichiro Nakano, Shigeyuki Iwasa, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers . 2007,第1期

机译：芳环酮基of盐的ArF化学增强抗蚀剂的性质和平版能力
4. Chemically amplified resists using the absorption band shift method in conjunction with alicyclic compounds for ArF excimer laser lithography [C] . Takeshi Okino, Koji Asakawa, Naomi Shida, Conference on advances in resist technology and processing . 1999

机译：使用吸收带移方法与ARF准分子激光光刻结合使用吸收带移方法的化学放大抗蚀剂
5. Surface chemistry study of gallium arsenide wafers during chemically amplified resist patterning and resist studies with fluorescence. [D] . Lu, Bing. 2000

机译：砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行，并通过荧光进行抗蚀剂研究。
6. Fabricating a high-resolution mask with improved line-edge roughness by using a nonchemically amplified resist and a postexposure bake [O] . Hidetatsu Miyoshi, Jun Taniguchi -1

机译：通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
7. Chemically Amplified Negative Resists Based on Alicyclic Acrylate Polymers for 193-nm Lithography. [O] . Shigeyuki Iwasa, Katsumi Maeda, Etsuo Hasegawa 1999

机译：基于脂环族丙烯酸酯聚合物的化学扩增的负性抗蚀剂，用于193-nm光刻。

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