机译:用雄甾酮结构与羟基酮结构相移光刻的新型ARF负抗蚀剂系统。 - 羟基酸。
机译:雄甾烯结构与#δ#-羟基酸相移光刻的新型ArF负阻系统设计
机译:雄甾烯结构与#δ#-羟基酸相移光刻的新型ArF负阻系统设计
机译:共聚单体结构对溶出特性的影响:雄甾酮衍生物与#δ#-羟基酸形成的ArF负阻体系
机译:使用雄甾酮结构与δ-羟基的ArF负性抗蚀剂系统进行100 nm相移光刻
机译:用于相移掩模设计的广义逆光刻方法。
机译:负电阻双光子光刻技术的使用和加工以实现圆柱磁性纳米线
机译:共聚单体结构对溶出特性的影响:使用雄甾酮衍生物的ARF负抗蚀剂系统。 - 羟基酸。 - 羟基酸。
机译:用于arF光刻的酸催化单层抗蚀剂