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【2h】

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep-UV and Vacuum-UV Lithography.

机译：使用化学扩增的表面甲硅烷基化的单层抗蚀剂，用于深紫色和真空 - UV光刻。

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Kazuyuki SUGITA; Masahiro YAMASHITA; Kieko HARADA; Masahito KUSHIDA; Kyoichi SAITO;
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年度 2002
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1. A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep-UV and Vacuum-UV Lithography [J] . Kazuyuki Sugita, Masahiro Yamashita, Kieko Harada, Journal of Photopolymer Science and Technology . 2002,第3期

机译：使用化学放大技术进行深紫外和真空紫外光刻的表面硅烷化单层抗蚀剂
2. A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification: A New Simpler Alternative for Multilayer Resist System [J] . Kazuyuki Sugita, Masakuni Ikagawa, Liew Chan Ming, Journal of Photopolymer Science and Technology . 2000,第4期

机译：使用化学放大的表面甲硅烷基化的单层抗蚀剂：多层抗蚀剂系统的新型更简单的替代方案
3. A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep UV Lithography:IIIb. Optimization of PAG and Its Content [J] . Kazuyuki Sugita, Hiroshi Miyata, Kieko Harada Journal of Photopolymer Science and Technology . 2004,第3期

机译：使用化学放大的深紫外光刻技术的表面硅烷化单层抗蚀剂：IIIb。 PAG的优化及其含量
4. Preliminary lithographic characteristics of an all-organic chemically amplified resist formulation for single-layer deep-UV lithography [C] . Omkaram Nalamasu, ATT Bell Labs., Murray Hill, Advances in Resist Technology and Processing VIII . 1991

机译：单层深紫外光刻全有机化学放大抗蚀剂配方的初步光刻特性
5. Exploration of non-chemically amplified resists based on dissolution inhibitors for 193 nm lithography. [D] . Baylav, Burak. 2010

机译：探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂，用于193 nm光刻。
6. Fabricating a high-resolution mask with improved line-edge roughness by using a nonchemically amplified resist and a postexposure bake [O] . Hidetatsu Miyoshi, Jun Taniguchi -1

机译：通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
7. A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification: A New Simpler Alternative for Multilayer Resist System. [O] . Kazuyuki Sugita, Masakuni Ikagawa, Liew Chan Ming, 2000

机译：使用化学放大的表面甲硅烷基化的单层抗蚀剂：多层抗蚀剂系统的一种新的更简单的替代方案。

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep-UV and Vacuum-UV Lithography.

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