首页> 外文OA文献 >Positive chemically amplified resists using naphthoquinone diazides as photo-acid-generators.

【2h】

Positive chemically amplified resists using naphthoquinone diazides as photo-acid-generators.

机译：使用萘醌二氮杂化为光酸发生器的正化学扩增抗性。

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Rumiko Hayase; Yasunobu Onishi; Hirokazu Niki; Naohiko Oyasato; Shuzi Hayase;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1993
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Some Peculiarities Of Resist-profile Simulation For Positive-tone Chemically Amplified Resists In Electron-beam Lithography [J] . K. Vutova, E. Koleva, G. Mladenov, Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures . 2009,第1期

机译：电子束光刻中正性化学放大抗蚀剂的抗蚀剂轮廓模拟的一些特殊性
2. Study on Thermal Crosslinking Reaction of o-Naphthoquinone Diazides and Application to Electrodeposition Positive Photoresist [J] . Kenji Miyagawa, Keisuke Naruse, Shinsuke Ohnishi, Progress in Organic Coatings: An International Review Journal . 2001,第1a2期

机译：邻萘醌二叠氮化物的热交联反应及其在电沉积正光刻胶中的应用
3. Acid-amplifying polymers: synthesis, characterization, and application to environmentally stable chemical amplification positive (ESCAP) resists [J] . Arimitsu K., Yonekura M., Furutani M. RSC Advances . 2015,第98期

机译：酸增强聚合物：合成，表征以及在环境稳定的化学放大正性（ESCAP）抗蚀剂中的应用
4. Study on Thermal Crosslinking Reaction of o-Naphthoquinone Diazides and Application to Electrodeposition Positive Photoresist [C] . Kenji Miyagawa, Keisuke Naruse, Shinsuke Ohishi, International conference in organic coatings . 2000

机译：邻萘醌二叠氮化物的热交联反应及其在电沉积正光刻胶中的应用
5. Surface chemistry study of gallium arsenide wafers during chemically amplified resist patterning and resist studies with fluorescence. [D] . Lu, Bing. 2000

机译：砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行，并通过荧光进行抗蚀剂研究。
6. Fabricating a high-resolution mask with improved line-edge roughness by using a nonchemically amplified resist and a postexposure bake [O] . Hidetatsu Miyoshi, Jun Taniguchi -1

机译：通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
7. Lithographic Performances of Non-Chemically Amplified Resist and Chemically Amplified Resist for 193nm Top Surface Imaging Process. [O] . Cha-Won Koh, Ki-Ho Baik 2000

机译：193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。

Positive chemically amplified resists using naphthoquinone diazides as photo-acid-generators.

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅