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【2h】

A Complementary Ring Mixer Driven by a Single-Ended LO in 22-nm FD-SOI CMOS for K and Ka-Bands

机译：由22-NM FD-SOI CMOS的单端LO驱动的互补环搅拌机，用于K和KA带

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作者
Paolo Valerio Testa; Laszlo Szilagyi; Corrado Carta; Frank Ellinger;
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年度 2021
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1. Design of E- and W-Band Low-Noise Amplifiers in 22-nm CMOS FD-SOI [J] . IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2020,第1期

机译：22 nm CMOS FD-SOI中的E和W波段低噪声放大器的设计
2. A 1.7-dB Minimum NF, 22–32-GHz Low-Noise Feedback Amplifier With Multistage Noise Matching in 22-nm FD-SOI CMOS [J] . Cui Bolun, Long John R. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2020,第5期

机译：具有22-NM FD-SOI CMOS中多级噪声匹配的1.7 dB最小NF，22-32-GHz低噪声反馈放大器
3. A 77 GHz Low LO Power Mixer With a Split Self-Driven Switching Cell in 65 nm CMOS Technology [J] . Kim S.-K., Cui C., Huang G., Microwave and Wireless Components Letters, IEEE . 2012,第9期

机译：具有65 nm CMOS技术的分离式自驱动开关单元的77 GHz低LO功率混合器
4. A Low-Power Low-Voltage Down-Conversion Mixer for 5G Applications at 28 GHz in 22-nm FD-SOI CMOS Technology [C] . Paolo Valerio Testa, Laszlo Szilagyi, Xin Xu, Asia-Pacific Microwave Conference . 2020

机译：低功耗低压下转换混合器，用于28 GHz在22-NM FD-SOI CMOS技术中的5G应用
5. Ultra-Low-Voltage CMOS-Based Current Bleeding Mixer with High LO-RF Isolation [O] . Gim Heng Tan, Roslina Mohd Sidek, Harikrishnan Ramiah, -1

机译：具有高LO-RF隔离的基于超低压CMOS的电流混合器
6. A Single-Electron Injection Device for CMOS Charge Qubits Implemented in 22-nm FD-SOI [O] . Imran Bashir, Elena Blokhina, Ali Esmailiyan, 2020

机译：用于CMOS充电QUBITS的单电子注入装置，在22-NM FD-SOI中实现

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