机译:高功率和宽带微波检测用四个垂直的GaN肖特基势差二极管通过新的MESA氮化
机译:低泄漏和高前进电流密度准垂直GaN肖特基势垒二极管,后髓质
机译:高压和高离子/ IOFF准立式Gan-on-Si肖特基障屏障二极管,氩注射终止
机译:近乎理想的准垂直GaN肖特基势垒二极管,1010高开/关比和超级电压通过后阳极退火
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
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